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模拟电子技术基础第四版童诗白华成英主编课后习题答案详解

时间:2016-02-04 11:39:41 基础英语 投诉建议

  模拟电子技术基础这一课程大家掌握多少呢?下面是阳光网小编为大家推荐一些模拟电子技术基础第四版课后习题答案预览和下载地址,希望大家有用哦。

  模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案预览 :第一章常用半导体器件

  自 测 题

  一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

  (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )

  (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )

  (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )

  (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( )

  (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )

  (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )

  解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×

  二、选择正确答案填入空内。

  (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。

  A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

  (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。 A. ISeU B. TUUIeS C. IS(eU UT-1)

  (3)稳压管的稳压区是其工作在。

  A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

  (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

  A. 前者反偏、后者也反偏

  B. 前者正偏、后者反偏

  C. 前者正偏、后者也正偏

  (5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

  A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管

  解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

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